[发明专利]具有增强电场的三维双端存储器

摘要

本发明描述了具有增强的电场特性的三维存储单元。举例来说，双端存储单元可以是由材料层堆叠构成的，其中各个层沿着与构建材料层堆叠的基板表面的法线方向形成非零角度的方向布置。在一些方面，所述方向可以与所述法线方向垂直或基本上垂直。在其他方面，所述方向可以与所述法线方向不垂直。当存储单元的内部角形成非垂直角时，可以得到增强的电场或电流密度，从而提供改善的开关时间和存储性能。

主权项

一种存储装置，包括：半导体堆叠，包括基本上沿着第一维度依次布置的多层；以及存储单元，形成在所述半导体堆叠的子集内，并且包括图案化顶电极、电阻型开关层和图案化底电极，所述图案化顶电极、电阻型开关层和图案化底电极是由所述半导体堆叠的多层中的各个层形成的并且沿着一个方向依次布置，其中至少在所述半导体堆叠的所述子集附近所述方向与所述第一维度形成45度或45度以上的角度。