[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410363410.2 | 申请日： | 2014-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336674B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种互连结构及其形成方法。互连结构的形成方法包括先采用硅源气体和氧源气体对基底进行等离子体处理，在所述基底上形成等离子体增强硅氧化物粘附层，之后在于所述等离子体增强硅氧化物粘附层上形成介质层，在刻蚀所述介质层在所述介质层和等离子体增强硅氧化物粘附层内形成通孔后，在通孔内形成导电插塞。在形成通孔后的半导体器件制备后续工艺中(如对通孔湿法清洗工艺)相比与现有技术的粘附层，所述等离子体增强硅氧化物粘附层具有较大的去除速率，使得所述介质层与等离子体增强硅氧化物粘附层的刻蚀速率相当，从而提高通孔侧壁整体的平滑度，以提高通孔侧壁的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；采用硅源和氧源气体对基底进行等离子体处理，在所述基底上形成等离子体增强硅氧化物粘附层；在等离子体增强硅氧化物粘附层上形成介质层；刻蚀所述介质层和等离子体增强硅氧化物粘附层，在所述介质层和等离子体增强硅氧化物粘附层内形成通孔；向所述通孔内填充导电材料，以形成导电插塞；在形成所述等离子体增强硅氧化物粘附层后，形成所述介质层前，在所述等离子体增强硅氧化物粘附层上形成第一粘附辅助层，所述第一粘附辅助层为采用八甲基苯环化四硅氧烷形成的SiOCH层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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