[发明专利]一种三维絮状石墨烯基底材料的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201410361360.4 | 申请日： | 2014-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN104163421A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 汪浩;吴春卉;严辉;刘晶冰;朱满康;王波;王如志 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种三维絮状石墨烯基底材料的制备方法及其应用，属于功能纳米材料的制备领域。本发明步骤：一、将氧化石墨置于坩埚中，制得膨胀石墨；二、取10～20mg膨胀石墨分散于10～30mL水中，加入200～800μL聚苯乙烯小球水分散液后超声1h～4h；三、将膨胀石墨-聚苯乙烯复合体系分散液直接抽滤到泡沫镍上，在40～60℃下干燥12～18h后将负载有膨胀石墨-聚苯乙烯的泡沫镍置于水合肼与氨水体积比为1:5～1:10的混合溶液中，在90～95℃下反应1～3h后取出后用去离子水浸泡洗涤后干燥；四、真空条件下以1～2℃/min的升温速率升温至450～500℃，保温1～2h后取出。制备的材料具有类似于孔结构的三维絮状结构，并且具有优异的导电性能，可大大降低电容器的内阻，提高电极活性物质的电容性能；适合石墨烯的大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 絮状 石墨 基底 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种三维絮状石墨烯基底材料的制备方法，该方法主要包括以下步骤：步骤1：将氧化石墨置于坩埚中，将马弗炉以5～20℃/min的速率加热至温度为900～1100℃后将坩埚放入马弗炉后保温0.5～2min后，将坩埚取出，制得膨胀石墨；步骤2：取10～20mg膨胀石墨分散于10～30mL水中，加入200～800μL聚苯乙烯小球水分散液后超声1h～4h；步骤3：将膨胀石墨‑聚苯乙烯复合体系分散液直接用2～4L/s的速率抽滤到泡沫镍上，在40～60℃下干燥12～18h后将负载有膨胀石墨‑聚苯乙烯的泡沫镍置于水合肼与氨水体积比为1:5～1:10的混合溶液中，在90～95℃下反应1～3h后取出后用去离子水浸泡洗涤3～5次后，在40～60℃下干燥12～18h制得负载有石墨烯‑聚苯乙烯的泡沫镍基底材料；步骤4：将上一步骤制得的负载有石墨烯‑聚苯乙烯的泡沫镍基底材料在管式炉中在真空条件下以1～2℃/min的升温速率升温至450～500℃，保温1～2h后取出，得到在泡沫镍上制备的三维絮状石墨烯基底材料。
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