[发明专利]一种双面布局的低寄生电感GaN功率集成模块有效
| 申请号： | 201410360374.4 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN104112718A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 王康平;杨旭;曾翔君;马焕;余小玲;郭义宣 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双面布局的低寄生电感GaN功率集成模块，包括上桥臂器件、下桥臂器件和母线电容。上桥臂器件、下桥臂器件是LGA封装的GaN器件，母线电容是贴片封装。两个器件安放在基板的正反两面，上桥臂器件的源极和下桥臂器件的漏极正对放置，并通过过孔直接相连。母线电容放置在上桥臂器件两侧。本发明采用的布局方式，可以有效地减小高频功率回路的面积，同时充分利用了LGA封装漏极和源极引脚交错排列的结构，构成多个交错并联的高频功率电流回路，从而极大地降低了高频功率回路寄生电感，有效地减小了开关过程中的过电压和振荡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 布局 寄生 电感 gan 功率 集成 模块 | ||
【主权项】：
一种双面布局的低寄生电感GaN功率集成模块，其特征在于：包括上桥臂器件(1)、下桥臂器件(2)和母线电容(3)，上桥臂器件(1)和下桥臂器件(2)分别对应安放在基板(7)的正反面上，上桥臂器件(1)的源极和下桥臂器件(2)的漏极正对放置，上桥臂器件(1)的源极通过基板(7)上的过孔与下桥臂器件(2)的漏极对应相连；母线电容(3)安放在上桥臂器件(1)一侧或两侧的基板(7)上；上桥臂器件(1)的所有漏极在靠近母线电容(3)侧与母线电容(3)的一个电极相连，母线电容(3)的另一个电极通过基板(7)上的过孔与基板(7)内的中间导电层(12)相连，所述中间导电层(12)通过基板(7)上的过孔与下桥臂器件(2)的所有源极相连。
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