[发明专利]用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法有效
| 申请号： | 201410359638.4 | 申请日： | 2014-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN105280842B | 公开（公告）日： | 2017-07-25 |
| 发明（设计）人： | 康嘉滨;林进志;黄俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,郑特强 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开提供一种用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法，包括以下步骤将OLED材料透过掩模板上的镂空部蒸镀到基板上的显示屏单元，显示屏单元包含有效区域和该有效区域外围的外围测量区域，所述OLED材料在该有效区域内形成多个有效子像素，在该外围测量区域内形成多个虚设子像素；及利用UV光使OLED材料的至少部分所述虚设子像素受激发光并测量该虚设子像素相对于所对应位于该基板上的发光单元预定位置的偏移量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 oled 制程中量测子 像素 偏移 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在OLED制程中量测子像素偏移量的方法，包括以下步骤：将OLED材料透过掩模板上的镂空部蒸镀到基板上的显示屏单元，显示屏单元包含有效区域和该有效区域外围的外围测量区域，所述OLED材料在该有效区域内形成多个有效子像素，在该外围测量区域内形成多个虚设子像素；及利用UV光使OLED材料的至少部分所述虚设子像素受激发光并测量该虚设子像素相对于所对应位于该基板上的发光单元预定位置的偏移量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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