[发明专利]一种评估半导体器件10年寿命对应的工作电压的方法

摘要

一种评估半导体器件寿命的工作电压的方法，包括求出某半导体器件在某工作电压VG下的失效几率；求出该半导体器件失效几率随VG的变化关系；根据同类的多个半导体器件失效几率随VG的变化关系，求出特征失效几率随VG的变化关系；取大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。本发明同时考虑了NBTI引入的动态涨落DDV和CCV的影响，而且不同VDD对半导体器件可靠性的影响程度也很好地评估出来。因此本发明提供了纳米尺度半导体器件几率性VDD有效的评估方法。

主权项

一种评估半导体器件10年寿命对应的工作电压的方法，应用于纳米尺度的半导体器件，其特征是，包括如下步骤：第一步，将某一半导体器件在加速应力下的阈值电压的退化ΔVth等效地转化到某一个工作电压VG下，在10年左右依次选取N个ΔVth值，求出这N个ΔVth值的分布，把这N个ΔVth大于失效判断标准的概率记作失效几率；第二步，改变VG电压值，重复执行上一步的过程多次，可以求出该半导体器件在10年寿命时的失效几率随着VG的变化关系；第三步，在同类的多个半导体器件上重复执行上述过程，得到每一个半导体器件在10年寿命时的失效几率随VG的变化关系；第四步，取不同半导体器件在相同VG下失效几率的均值，作为该VG下的特征失效几率，即可得到特征失效几率随VG的变化关系，对应大于等于0且小于1的特征失效几率的工作电压VG即为满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD；根据目标要求的特征失效几率求出实际的满足半导体器件10年寿命的工作电压VDD值的大小。