[发明专利]监控图形晶片栅极氧化层表面的方法有效
| 申请号： | 201410356924.5 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN104103540A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 肖天金;温振平;康俊龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。所述表面信息为功函数和/或表面电势。本发明监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，使用电学检测的方法，检测栅极氧化层表面的功函数和表面电势，检测的表面信息既可以用于栅极氧化层的日常监控，也可以用于快递筛选具备优异品质的栅极氧化层的图形晶片，弥补了传统检测方法的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 图形 晶片 栅极 氧化 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种监控图形晶片栅极氧化层表面的方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有一栅极氧化层，所述半导体衬底包括N阱、P阱、输入/输出阱以及浅沟槽隔离结构，所述栅极氧化层包括一第一栅极氧化层和一第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层覆盖所述输入/输出阱，所述第二栅极氧化层覆盖所述N阱和所述P阱；探测所述栅极氧化层上多个格点的表面信息，得到所述表面信息的分布、平均值和标准偏差；以及根据所述表面信息的平均值和标准偏差，判断所述栅极氧化层的生长工艺是否稳定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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