[发明专利]用于在衬底上沉积金属膜的方法及LED器件有效
| 申请号： | 201410356230.1 | 申请日： | 2014-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN105331940B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 田立飞;夏威 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 贾玉姣 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于在衬底上沉积金属膜的方法及LED器件。用于在衬底上沉积金属膜的方法，包括如下步骤：S1：向工艺腔室内通入惰性气体；S2：向金属靶材施加射频功率进行起辉以在工艺腔室内产生等离子体；S3：同时向金属靶材施加射频功率和直流功率以用于轰击金属靶材产生金属原子，金属原子在衬底上沉积形成反射率达98％以上的金属膜。根据本发明的方法，可以提高金属膜的反射率和粘附性，减小对衬底表面氮化镓膜的损伤程度，可以提高衬底的稳定性和使用寿命，降低衬底的电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 沉积 金属膜 方法 led 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底上沉积金属膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：向工艺腔室内通入惰性气体，使所述工艺腔室内气压达到预定气压值；S2：向金属靶材施加射频功率进行起辉以在所述工艺腔室内产生等离子体；S3：同时向所述金属靶材施加射频功率和直流功率以用于轰击金属靶材产生金属原子，所述金属原子在所述衬底上沉积形成反射率达98％以上的金属膜。
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