[发明专利]用于气态氟化氢刻蚀二氧化硅的刻蚀腔体及其刻蚀系统

摘要

本发明公开了一种用于气态氟化氢刻蚀二氧化硅的刻蚀腔体及其系统，所述系统包括：刻蚀腔体、气体产生装置和控制系统，气体产生装置用于将产生的刻蚀气体、氮气和乙醇气体进行混合输入到刻蚀腔体内，所述刻蚀腔体上设有进气口和出气口，刻蚀腔体内设有旋转平台、加热器和气体匀流装置，进入刻蚀腔体的混合气体通过气体匀流装置进行充分混合，旋转平台上放置有待刻蚀的半导体器件，控制系统控制气体产生装置产生混合气体，混合气体在刻蚀腔体内充分混合，控制系统控制旋转平台转动并控制加热器进行加热。

主权项

一种用于气态氟化氢刻蚀二氧化硅的刻蚀腔体，其特征在于：所述刻蚀腔体（2）包括腔主体（21）、上盖（22）、气管、旋转平台（23）、匀流管、加热器和匀流板，所述腔主体（21）的上部使用上盖（22）进行密封，腔主体（21）上设有进气口和出气口，所述进气口和出气口位于所述腔主体的左右两侧，所述进气口内设有进气管（24），出气口内设有出气管（25），腔主体（21）内部的进气管（24）上设有进气匀流管（26），腔主体（21）内部的出气管（25）上设有出气匀流管（27），所述进气匀流管（26）的左侧设有进气匀流板（28），所述出气匀流管（27）的右侧设有出气匀流板（29），所述进气匀流管（26）与进气匀流板（28）之间设有右加热器（210），所述出气匀流管（27）与出气匀流板（29）之间设有左加热器（211），进气匀流板（28）与出气匀流板（29）之间保持间隔设置，所述旋转平台（23）位于进气匀流板（28）与出气匀流板（29）之间。