[发明专利]一种测量大晶粒硅钢织构的分析方法有效

专利信息
申请号: 201410351806.5 申请日: 2014-07-23
公开(公告)号: CN104155323A 公开(公告)日: 2014-11-19
发明(设计)人: 周顺兵;王志奋;吴立新;陈士华;姚中海 申请(专利权)人: 武汉钢铁(集团)公司
主分类号: G01N23/203 分类号: G01N23/203;G06F19/00;G06T7/00
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 王和平;陈懿
地址: 430080 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种测量大晶粒硅钢织构的分析方法,包括以下步骤:一、将硅钢板制成电子背散射衍射待测试样;二、切取电子背散射衍射待测试样的待测区域,依据晶界区分该待测区域内各个晶粒;三、计算出每个晶粒的面积Am和该样品总待测区域的面积A总;四、无织构化处理,计算单个晶粒在待测区域上所占比例A0;五、每个晶粒中用电子背散射衍射测试其晶粒取向(hkl)并取其绝对值;六、将Am除以A总所得值,再除以A0值,即得相对极密度P(hkl);七、将相对极密度P(hkl)标示在反极图中相应晶面的位置上。本发明具有使测试结果与材料的性能之间可以建立正确的对应关系的特点,可以广泛应用于大晶粒材料测试领域。
搜索关键词: 一种 测量 晶粒 硅钢 分析 方法
【主权项】:
一种测量大晶粒硅钢织构的分析方法,其特征在于:包括以下步骤:一、将硅钢板制成电子背散射衍射待测试样;二、切取电子背散射衍射待测试样的待测区域,依据晶界区分该待测区域内各个晶粒;三、计算出每个晶粒的面积Am,并测量计算出该样品总待测区域的面积A总;四、将该待测试样做无织构化处理,计算出单个晶粒在待测区域上所占比例A0;五、每个晶粒中用电子背散射衍射测试其晶粒取向(hkl)并取其绝对值;六、将测量得的每个晶粒的面积Am除以该样品总待测区域的面积A总所得值,再除以A0值,所得数值即为该晶粒在取向(hkl)的相对极密度的大小P(hkl);七、将晶粒在取向(hkl)上的相对极密度的P(hkl)标示在反极图中相应晶面的位置上,即得到电子背散射衍射待测试样的反极图。
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