[发明专利]双沟槽‑栅极绝缘栅双极晶体管结构

摘要

本发明提出了一种含有衬底的IGBT器件，其中衬底包括一个第一导电类型的半导体底层和一个第二导电类型的半导体底层，至少一个第一栅极形成在衬底上方的相应的第一沟槽中，至少一个第二栅极形成在衬底上方的第二沟槽中。栅极绝缘物形成在第一和第二沟槽的每个侧面，并用多晶硅填充第一和第二沟槽。第二沟槽垂直延伸到比至少一个第一沟槽更深的地方。IGBT器件还包括一个第二导电类型的本体区，在至少一个第一栅极和/或第二栅极之间，至少一个堆栈层在至少一个第一栅极的底部和半导体顶层的顶部之间。至少一个堆栈层包括一个第二导电类型的浮动本体区，在第一导电类型的浮动本体区上方。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管器件，其特征在于，包括：衬底，其包括一个第一导电类型的半导体底层以及一个第二导电类型的半导体顶层；至少一个第一栅极，其设置在衬底上方的相应的第一沟槽中，所述的第一沟槽在沟槽的每个侧面带有一个栅极绝缘物，并用多晶硅填充；第二栅极，其设置在衬底上方的第二沟槽中，所述的第二沟槽在沟槽的每个侧面带有一个栅极绝缘物，并用多晶硅填充，所述的第二沟槽垂直延伸到比所述的第一沟槽更深的地方；第一导电类型的本体区，其设置在所述的第一栅极和/或第二栅极之间；以及至少一个堆栈层，其设置在所述的第一栅极的底部和半导体顶层的顶部之间，所述的堆栈层包括一个第二导电类型的浮动本体区，所述的一个第二导电类型的浮动本体区位于一个第一导电类型的浮动本体区上方，所述的堆栈层设置在第二沟槽底部和所述的第一沟槽底部之间。