[发明专利]半导体装置

摘要

本公开涉及半导体装置。根据本公开的半导体装置包括在衬底上形成的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅极电极、源极电极和漏极电极。通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成超晶格缓冲层。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成而第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中满足关系x>y。掺杂到部分或全部第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度。

主权项

一种半导体装置，包括：在衬底上形成的超晶格缓冲层；在所述超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成的第一半导体层；在所述第一半导体层上由氮化物半导体形成的第二半导体层；以及在所述第二半导体层上形成的栅极电极、源极电极和漏极电极，其中通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成所述超晶格缓冲层，所述第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成而所述第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中满足关系x>y，掺杂到部分或全部所述第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到所述第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度，以及所述第二超晶格形成层包括在所述第一半导体层侧的上层以及在所述衬底侧的下层，并且掺杂到所述上层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到所述下层中的用作受主的杂质元素的浓度。