[发明专利]具有晶体结构的N功函金属有效
| 申请号： | 201410345066.4 | 申请日： | 2014-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN104916543B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 洪奇成;刘冠廷;粘骏楠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种方法，该方法包括在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，该半导体衬底包括在晶圆中。该方法还包括去除伪栅极堆叠件以形成凹槽，在凹槽中形成栅极介电层，且在凹槽中和栅极介电层上方形成金属层。金属层具有n功函。金属层的一部分具有晶体结构。该方法还包括使用金属材料填充凹槽的剩余部分，其中，金属材料覆盖金属层。本发明还涉及具有晶体结构的N功函金属。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晶体结构 金属 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成集成电路器件的方法，包括：在半导体衬底上方形成伪栅极堆叠件，其中，所述半导体衬底包括在晶圆中；去除所述伪栅极堆叠件以形成凹槽；在所述凹槽中形成栅极介电层；在所述凹槽中以及所述栅极介电层上方形成金属层，其中，所述金属层具有n功函，所述金属层的一部分具有晶体结构，所述金属层包括钛铝(TiAl)层；以及在所述金属层上方沉积氮化钛层；使用金属材料填充所述凹槽的剩余部分，其中，所述金属材料覆盖所述金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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