[发明专利]分立磁角度传感器装置和磁角度传感器布置有效
| 申请号： | 201410343038.9 | 申请日： | 2014-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN104296650B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | U.奥瑟莱希纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/30 | 分类号： | G01B7/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及分立磁角度传感器装置和磁角度传感器布置。根据实施例的分立磁角度传感器装置包括第一磁场梯度计和第二磁场梯度计。所述第一磁场梯度计和所述第二磁场梯度计具有一组梯度计类型中的不同类型。实施例可以改进旋转角的确定的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 分立 角度 传感器 装置 布置 | ||
【主权项】：
一种分立磁角度传感器装置，包括：第一磁场梯度计；以及第二磁场梯度计，其中，所述第一磁场梯度计和所述第二磁场梯度计具有一组梯度计类型中的不同类型,其中第一和第二磁场梯度计在衬底的主表面之内或之上形成，所述衬底是半导体衬底、无机衬底和单晶衬底中的至少一个，其中所述分立磁角度传感器装置被配置为基于第一磁场分量相对于第一梯度计方向的梯度生成所述传感器信号，并且其中所述分立磁角度传感器装置被配置为基于第二磁场分量相对于所述第一梯度计方向或者相对于不同于所述第一梯度计方向的第二梯度计方向的梯度来生成所述传感器信号。
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