[发明专利]芯片的制作方法、芯片及MEMS器件

摘要

本申请公开了一种芯片的制作方法、芯片及MEMS器件。该制作方法包括：形成初始基体结构，初始基体结构包括具有凸出部的衬底，沿远离衬底方向上依次位于凸出部上的介质过渡层和第一金属层，以及包裹第一金属层的可牺牲材料层；刻蚀初始基体结构中介质过渡层的外周，形成介质层，介质层的外周相对于凸出部和所述第一金属层的外周向内凹陷形成凹槽结构；形成环绕凸出部的侧壁，并覆盖在衬底的表面以及可牺牲材料层的表面上的第二金属预备层；去除可牺牲材料层以及可牺牲材料层表面上的第二金属预备层，并将剩余第二金属预备层作为第二金属层。该制作方法能够减少芯片中的残留物，并提高芯片的性能。

主权项

1.一种芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：形成初始基体结构，所述初始基体结构包括具有凸出部的衬底，沿远离所述衬底方向上依次位于所述凸出部上的介质过渡层和第一金属层，以及包裹所述第一金属层的可牺牲材料层；刻蚀所述初始基体结构中所述介质过渡层的外周，形成介质层，所述介质层的外周相对于所述凸出部和所述第一金属层的外周向内凹陷形成凹槽结构；形成环绕所述凸出部的侧壁，并覆盖在所述衬底的表面以及所述可牺牲材料层的表面上的第二金属预备层；去除所述可牺牲材料层以及所述可牺牲材料层表面上的第二金属预备层，并将剩余所述第二金属预备层作为第二金属层。