[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410339799.7 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105322010B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 唐波;许静;闫江;王红丽;唐兆云;徐烨锋;李春龙;陈邦明;杨萌萌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;姜溯洲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底具有第一半导体层；在第一半导体层上形成图案化的第二半导体层和第三半导体层堆叠，堆叠上具有第一氧化阻挡层，堆叠两侧为隔离沟槽；从第二半导体层的端部去除部分的第二半导体层，以形成开口；在隔离沟槽的侧壁以及开口的内表面上依次形成氧化物层和第二氧化阻挡层；形成隔离结构，包括：氧化工艺，使得第一半导体层的氧化物填充部分隔离沟槽；填充工艺，以氧化物材料填满隔离沟槽；去除第一氧化阻挡层；在第三半导体层上形成器件结构，开口上为器件结构的源漏区。该方法形成了源漏区下带有空腔的器件，工艺简单且易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底具有第一半导体层；在第一半导体层上形成图案化的第二半导体层和第三半导体层堆叠，堆叠上具有第一氧化阻挡层，堆叠两侧为隔离沟槽，第三半导体层的区域为有源区；从第二半导体层的端部去除部分的第二半导体层，以形成开口；在隔离沟槽的侧壁以及开口的内表面上依次形成氧化物层和第二氧化阻挡层；形成隔离结构，包括：氧化工艺，使得第一半导体层的氧化物填充部分隔离沟槽；填充工艺，以氧化物材料填满隔离沟槽；去除第一氧化阻挡层；在第三半导体层上形成器件结构，开口上为器件结构的源漏区；所述衬底为体硅衬底，形成第二半导体层和第三半导体层的步骤具体为：在衬底上外延生长GexSi1‑x的第二半导体层，0<x<1；在第二半导体层上外延生长硅的第三半导体层；在第三半导体层上形成第一氧化阻挡层，该第一氧化阻挡层为掩膜层；进行图案化，形成第二半导体层及第三半导体层的堆叠，堆叠两侧为隔离沟槽；从第二半导体层的端部去除部分的第二半导体层，以形成开口的步骤具体包括：采用湿法刻蚀，选择性去除第二半导体层，以在第二半导体层的端部形成开口；湿法刻蚀的刻蚀剂为HF、H2O2、CH3COOH和H2O的混合液；溶剂采用49％的HF、30％H2O2、99.8％的CH3COOH和H2O的混合溶液，比例为1:18:27:8。
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