[发明专利]多晶硅提纯或铸锭环节中应用的具有排杂功能的坩锅及多晶硅提纯或铸锭方法有效

专利信息
申请号: 201410339742.7 申请日: 2014-07-17
公开(公告)号: CN104131337A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 谭毅;林海洋;温书涛;石爽;姜大川 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06
代理公司: 大连非凡专利事务所 21220 代理人: 曲宝威
地址: 116000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 多晶硅提纯或铸锭环节中应用的具有排杂功能的坩锅,包括柱状的锅体,在锅体的侧壁上设有溢流孔,在锅体的外侧位于溢流孔的下部设有收集槽;溢流孔的底边距锅体内侧底面的高度H=H液+(H固-H液)20%,其中H液为多晶硅液态时在锅体内的液面高度,H固为多晶硅在锅体内结晶后的高度。步骤如下:向锅体内装入多晶硅料,装炉进行真空预抽;进入第一阶段加热并完全熔化;长晶;退火,消除晶体内应力;冷却,随炉冷却至400℃,出炉;出炉冷却至室温;取出硅锭并收集溢出硅料。运行过程中将顶层的杂质富集区,在液态状态下去除,减小硅锭成型后杂质富集区的反渗透,提高硅锭整体利用率。
搜索关键词: 多晶 提纯 铸锭 环节 应用 具有 功能 方法
【主权项】:
一种多晶硅提纯或铸锭环节中应用的具有排杂功能的坩锅,包括柱状的锅体(2),其特征在于:在锅体(2)的侧壁上设有溢流孔(7),在锅体(2)的外侧位于溢流孔(7)的下部设有收集槽(8);所述的溢流孔(7)的底边距锅体(2)内侧底面的高度H=H液+(H固-H液)20%,其中所述的H液为多晶硅液态时在锅体内的液面高度,H固为多晶硅在锅体内结晶后的高度。
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