[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410337867.6 | 申请日： | 2014-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN105261644A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 宋建宪 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法，其中，半导体装置包含半导体层及沟槽，该沟槽形成于此半导体层的顶面。此沟槽具有一底面及一侧壁。此半导体装置还包含源极区及漏极区。源极区及漏极区的其中一者可设于此沟槽的底面，另一者可设于此半导体的顶面，或反之也可。或者，源极区及漏极区皆可设于沟槽的底面。此半导体装置可包含一第一绝缘体，该第一绝缘体设于此沟槽中及源极区及漏极区之间。此半导体装置还可包含一第二绝缘体，该第二绝缘体设于此第一绝缘体及源极区之间。此半导体装置可还包含一导电元件，该导电元件设于此第一绝缘体上，或位于第一绝缘体及第二绝缘体之间。本发明能够在不增加装置占用空间的前提下，增进装置的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：一半导体层；一沟槽形成于该半导体层的一顶面中，该沟槽具有：一底面；及一侧壁；一漏极区设于该沟槽的该底面；一源极区设于该半导体层的该顶面，并与该漏极区具有间隔；一第一绝缘体设于该沟槽中，位于该漏极区及该源极区之间，并与该沟槽的该底面及该侧壁相接触；以及一第二绝缘体设于该漏极区与该源极区之间，并位于该半导体层的该顶面上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于世界先进积体电路股份有限公司，未经世界先进积体电路股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410337867.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
