[发明专利]具有有机光电二极管的图像传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410336489.X 申请日: 2014-07-15
公开(公告)号: CN104425719B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: 梁晋玮;林杏莲;蔡正原;蔡嘉雄 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44;H01L27/30
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了形成具有有机光电二极管的图像传感器的实施例。在有机光电二极管中形成沟槽以增大PN结的界面面积,这改进了光电二极管的量子效率(QE)。以液体形式施加有机P型材料以填充沟槽。可以使用具有不同的功函值和厚度的P型材料的混合物以满足用于光电二极管的期望功函值。
搜索关键词: 具有 有机 光电二极管 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光电二极管,包括:第一电极层;N型层,其中,多个沟槽形成在所述N型层中,所述多个沟槽包括多个第一沟槽,每个所述第一沟槽具有设置成第一方向的第一长度;多个第二沟槽,设置为横穿所述第一沟槽,并且每个所述第二沟槽具有设置成与所述第一方向垂直的第二方向的第二长度;有机P型层,位于所述N型层上方,其中,所述有机P型层填充所述N型层中的所述沟槽;以及第二电极层,位于所述有机P型层上方。
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