[发明专利]使用CMOS兼容反铁电高K材料的复杂电路组件及电容器在审
| 申请号： | 201410336166.0 | 申请日： | 2014-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN104299956A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | D·H·瑞尤赛;M·G·诺兰;J·穆勒;W·魏因赖希;K·赛德尔;P·普拉科斯基 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及使用CMOS兼容反铁电高K材料的复杂电路组件及电容器，提供具有高电容的集成电路组件及MIM/MIS电容器、形成相应集成电路组件及集成MIM/MIS电容器的方法以及控制集成电路组件及集成MIM/MIS电容器的方法。在各种实施方面中，提供衬底并在该衬底上方形成介电层或绝缘层。而且，在该介电层或绝缘层上方设置电极层。在这里，该介电层或绝缘层处于反铁电相。在各种示例实施例中，该集成电路组件可实现MOSFET结构或电容器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 cmos 兼容 反铁电高 材料 复杂 电路 组件 电容器 | ||
【主权项】：
一种集成电路组件，包括：衬底；介电层，形成于该衬底的表面上方；以及电极层，形成于该介电层上方；其中，该介电层至少部分处于反铁电相。
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