[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种光电探测器，在光电转换层上外延生长光衰减层，所述光衰减层与所述光电转换层的材料相同或所述光衰减层的材料带隙比所述光电转换层的材料带隙窄，使得入射至光探测器的强光在到达pn结空间电荷区之前，大部分被所述光衰减层吸收，当光衰减层的厚度固定后，照射到pn结空间电荷区的光强与入射光光强的比例也确定，且该比例在探测器制作完成后会保持稳定不变。因此，虽然照射到pn结空间电荷区的光已被光衰减层所衰减，但通过光电流的测量仍然可以确定入射光的光功率，从而能够提供准确的光功率信息。

主权项

一种光电探测器，其特征在于，包括依次设置的第一层、第二层、第三层、第四层和第五层，其中，第一层为第一欧姆接触电极层；第二层为衬底；第三层为光电转换层；第四层为光衰减层；第五层为第二欧姆接触电极层；所述衬底为n型单晶GaAs（ 120） ，所述光电转换层为GaAs，厚度为0.8μm，所述光衰减层为p型In0.05Ga0.95As12，厚度为5.0μm。