[发明专利]一种N型IBC太阳能电池片的制备方法在审
| 申请号: | 201410334315.X | 申请日: | 2014-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN104064630A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
| 发明(设计)人: | 张为国;龙维绪;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陆金星 |
| 地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 一种N型IBC太阳能电池片的制备方法,包括如下步骤:(1)在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆,烘干并烧结;(2)将硅片放入碱液中进行腐蚀处理;(3)清洗;氧化;(4)开窗,然后采用碱液进行腐蚀处理,去除开窗区的发射结;(5)采用步骤(4)中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂;(6)受光面沉积氮化硅薄膜;(7)在P+区与N+区印刷电极并烧结。本发明避免了传统工艺中P+与N+区需反复制备掩模及多次腐蚀等复杂工艺;本发明的方法采用传统的丝网印刷技术,可以利用现有条件和设备,因而成本较低,适于实现大规模化生产。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 ibc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种N型IBC太阳能电池片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆,烘干并烧结;(2) 将硅片放入碱液中进行腐蚀处理,形成P+区,使其结深的平均值为1.4~1.6微米,其方块电阻为55~65 Ω/□;(3) 清洗;氧化,在硅片背面形成氧化硅层;(4) 在上述氧化硅层上丝网印刷含氟腐蚀性浆料进行开窗,然后采用碱液进行腐蚀处理,去除开窗区的发射结;(5) 采用步骤(4)中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂,形成N+区;(6) 受光面沉积氮化硅薄膜;(7) 在P+区与N+区印刷电极并烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





