[发明专利]一种N型IBC太阳能电池片的制备方法在审

专利信息
申请号: 201410334315.X 申请日: 2014-07-15
公开(公告)号: CN104064630A 公开(公告)日: 2014-09-24
发明(设计)人: 张为国;龙维绪;王栩生;章灵军 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种N型IBC太阳能电池片的制备方法,包括如下步骤:(1)在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆,烘干并烧结;(2)将硅片放入碱液中进行腐蚀处理;(3)清洗;氧化;(4)开窗,然后采用碱液进行腐蚀处理,去除开窗区的发射结;(5)采用步骤(4)中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂;(6)受光面沉积氮化硅薄膜;(7)在P+区与N+区印刷电极并烧结。本发明避免了传统工艺中P+与N+区需反复制备掩模及多次腐蚀等复杂工艺;本发明的方法采用传统的丝网印刷技术,可以利用现有条件和设备,因而成本较低,适于实现大规模化生产。
搜索关键词: 一种 ibc 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种N型IBC太阳能电池片的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 在制绒并背抛光的N型硅片背面上整面印刷铝浆,烘干并烧结;(2) 将硅片放入碱液中进行腐蚀处理,形成P+区,使其结深的平均值为1.4~1.6微米,其方块电阻为55~65 Ω/□;(3) 清洗;氧化,在硅片背面形成氧化硅层;(4) 在上述氧化硅层上丝网印刷含氟腐蚀性浆料进行开窗,然后采用碱液进行腐蚀处理,去除开窗区的发射结;(5) 采用步骤(4)中的网版在开窗区印刷磷浆并掺杂,形成N+区;(6) 受光面沉积氮化硅薄膜;(7) 在P+区与N+区印刷电极并烧结。
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