[发明专利]具有掩埋栅极电极和栅极接触的半导体器件在审
| 申请号： | 201410334273.X | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104299987A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | R·西明耶科;M·胡茨勒;O·布兰科 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/739;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：栅极电极，掩埋在半导体部分中。栅极电极包括第一栅极部分和第二栅极部分，所述第一栅极部分在与所述半导体部分的主表面平行的纵向中心轴的第一侧上，所述第二栅极部分在所述纵向中心轴的相对的第二侧上。至少一个第一栅极接触从由所述主表面限定的主侧延伸到所述第一栅极部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 栅极 电极 接触 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极电极，掩埋在半导体部分中，所述栅极电极包括第一栅极部分和第二栅极部分，所述第一栅极部分在与所述半导体部分的主表面平行的纵向中心轴的第一侧上，所述第二栅极部分在所述纵向中心轴的相对的第二侧上；以及至少一个第一栅极接触，从由所述主表面限定的主侧延伸到所述第一栅极部分中。
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