[发明专利]一种多晶硅层上设置有突起的硅电容麦克风及其制备方法

摘要

本发明提供了一种多晶硅层上设置有突起的硅电容麦克风及其制备方法，其中，在硅电容麦克风的基板上设置有1～3层多晶硅层，且至少1层多晶硅层会在接受到声压后发生变形，1～3层多晶硅层中的至少一层上同时设置有高度和横截面不同的多个突起，突起按照高度和横截面的不同进行种类区分，种类数目大于等于3种。本发明在保证振膜和背极吸合后可自然放开的可靠性的基础上，不但实现了对硅电容麦克风电性能的优化，也实现对硅电容麦克风力学和几何变形的优化，从而使得硅电容麦克风的灵敏度、信噪比、线性度、工作电压等性能指标得到综合力学和电学的全局优化。

主权项

一种多晶硅层上设置有突起的硅电容麦克风，其特征在于：在其基板上设置有1～3层多晶硅层，其中至少一层所述多晶硅层会在接受到声压后发生变形，所述1～3层多晶硅层中的至少一层上设置有多个突起，所述突起按照高度和横截面的不同进行种类区分，所述突起的种类至少为3种。