[发明专利]具有应力降低结构的互连装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410333805.8 | 申请日： | 2014-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN104810351B | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 林怡瑞;彭彦明;杨汉威;赖振群 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件结构的实施例及其制造方法。半导体器件结构包括衬底和形成在衬底上方的第一层。半导体器件结构还包括形成在第一层中的应力降低结构，并且应力降低结构围绕第一层的一部分。半导体器件结构还包括形成在由应力降低结构围绕的第一层的部分中的导电部件。本发明还提供了具有应力降低结构的互连装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 应力 降低 结构 互连 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，包括：衬底；第一层，形成在所述衬底上方；应力降低结构，形成在所述第一层中，其中，所述应力降低结构围绕所述第一层的一部分；以及导电部件，形成在由所述应力降低结构围绕的所述第一层的一部分中；其中，所述第一层由压缩材料制成，并且所述应力降低结构由拉伸材料制成；或者，所述第一层由拉伸材料制成，并且所述应力降低结构由压缩材料制成。
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