[发明专利]低温多晶硅的制作方法及使用该方法的TFT基板的制作方法与TFT基板结构在审
| 申请号： | 201410329164.9 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN104064451A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 张晓星 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;B23K26/00;H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅的制作方法及使用该方法的TFT基板的制作方法与TFT基板结构，该低温多晶硅的制作方法包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)；步骤2、在基板(1)上沉积形成缓冲层(2)；步骤3、对缓冲层(2)进行图案化处理，形成具有不同厚度的凸起部(21)与凹陷部(23)；步骤4、在具有凸起部(21)与凹陷部(23)的缓冲层(2)上沉积形成非晶硅层(3)；步骤5、对非晶硅层(3)进行准分子激光退火预处理；步骤6、对非晶硅层(3)进行准分子激光退火制程，使用激光束对非晶硅层(3)整面进行扫描，使非晶硅层(3)熔融并重结晶形成多晶硅层(4)。该方法能够对非晶硅层重结晶时的结晶位置和结晶方向进行有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 制作方法 使用 方法 tft 板结 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)；步骤2、在基板(1)上沉积形成缓冲层(2)；步骤3、对缓冲层(2)进行图案化处理，形成具有不同厚度的凸起部(21)与凹陷部(23)；步骤4、在具有凸起部(21)与凹陷部(23)的缓冲层(2)上沉积形成非晶硅层(3)；步骤5、对非晶硅层(3)进行准分子激光退火预处理；步骤6、对非晶硅层(3)进行准分子激光退火制程，使用激光束对非晶硅层(3)整面进行扫描，使非晶硅层(3)熔融并重结晶形成多晶硅层(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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