[发明专利]紫外探测器有效
| 申请号： | 201410327756.7 | 申请日： | 2014-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN105244405B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 陈小龙;郭丽伟;黄郊;贾玉萍;芦伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/102 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种紫外探测器，包括SiC板；位于所述SiC板上的石墨烯层；以及位于所述石墨烯层上的第一电极和第二电极。本发明的紫外探测器能够实现对紫外光的超快探测，对紫外光探测的精度和灵敏度高，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 探测器 | ||
【主权项】：
一种紫外探测器，其特征在于，包括：SiC板，所述SiC板用于吸收紫外光；位于所述SiC板上的石墨烯层；位于所述石墨烯层上的第一电极和第二电极；以及将所述SiC板、石墨烯层、第一电极和第二电极进行封装的封装壳体，所述封装壳体具有供所述紫外光入射到所述SiC板上以改变所述石墨烯层的电导的通光窗口。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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