[发明专利]基于合金半导体纳米结构集成基片的光电探测器的制作

摘要

本发明涉及一种带隙渐变的半导体纳米结构的光电探测器的制备方法，属于光电探测领域。即基于单基片上集成生长的带隙渐变的CdSSe三元合金半导体一维纳米结构的集成基片的宽带高灵敏、大尺度、低成本光电探测器的制作，我们通过热蒸发或电子束蒸发的蒸镀手段，在渐变生长有不同组分的CdSxSe1-x(x从0到1)纳米结构(带隙大小渐变)的基片上制作不同形状和宽度的电极结构，最后将整个基片作为探测单元，并与非线性电流放大电路连接，制作出可以覆盖整个可见光区以及近紫外的宽带高灵敏光电导探测器。

主权项

基于合金半导体纳米结构集成基片的光电探测器的制作，其特征在于：具体步骤如下：步骤一：利用温度和压力可控的低成本CVD方法，通过控制反应温度(1000℃)升温速率(10℃/S‑20℃S)气流和生长时间(气体流量:6sccm‑20sccm,生长时间:1小时‑2小时)条件，在单基片上集成组分渐变的合金半导体纳米结构；步骤二：从步骤一所得的产物中选取优良的样品；步骤三：制作具有间隔的条形电极和叉指形电极的掩模板；步骤四：通过热蒸发或电子束蒸发的蒸镀手段，在渐变分布的纳米结构的基片上制作优化的不同形状和宽度的金属电极结构；步骤五：将步骤四中得到的产物与外围非线性放大电路连接，得到基于大面积单基片上集成生长的带隙渐变的CdSSe三元合金半导体一维纳米结构的光电探测器。