[发明专利]一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201410325773.7 | 申请日： | 2014-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN104099665A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张月娟;李兴旺;杨国利;王军杰;庞才印;莫小刚;王永国;夏士兴 | 申请（专利权）人： | 北京雷生强式科技有限责任公司;中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B33/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 刘映东 |
| 地址： | 100015 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氟化钇锂复合晶体及其制备方法，属于激光晶体制备技术领域。该方法通过直接键合技术，将c轴晶向的氟化钇锂晶体预键合在a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体的端部，得到第一中间产物；然后在垂直于第一中间产物键合面的方向上，对其进行施压处理，得到第二中间产物；最后在真空条件下，对第二中间产物进行热等静压处理，得到氟化钇锂复合晶体。制备得到的氟化钇锂复合晶体不存在轴向匹配问题，且具有低的热效应，利于减少晶体热致退偏损耗，并提高激光器的输出功率和光束质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氟化 复合 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氟化钇锂复合晶体，包括：工作介质和基质，所述基质键合在所述工作介质的端部，其特征在于，所述工作介质为a轴晶向的掺杂氟化钇锂晶体，所述基质为c轴晶向的氟化钇锂晶体。
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