[发明专利]存储器件及其形成方法

摘要

本发明提供了一种器件，包括控制栅极结构、存储器栅极结构、第一间隔件、第二间隔件、第一漏极/源极区以及第二漏极/源极区，其中，控制栅极结构位于衬底上方；存储器栅极结构位于衬底上方，其中，电荷存储层形成在控制栅极结构和存储器栅极结构之间；第一间隔件沿着存储器栅极结构的侧壁；第二间隔件位于存储器栅极结构的顶面上方；第一漏极/源极区在衬底中形成并且邻近存储器栅极结构；以及第二漏极/源极区在衬底中形成并且邻近控制栅极结构。本发明涉及一种存储器件及其形成方法。

主权项

一种形成存储器件的方法，包括：在衬底上方形成控制栅极结构；在所述控制栅极结构上方沉积电荷存储层；在所述电荷存储层上方形成第一氧化物层；在所述电荷存储层上方沉积存储器栅极层；在所述存储器栅极层上方沉积第一介电层；对所述第一介电层和所述存储器栅极层施加第一蚀刻工艺以形成第一存储器栅极结构和第二存储器栅极结构，其中，沿着所述控制栅极结构的相对两个侧壁形成所述第一存储器栅极结构和所述第二存储器栅极结构；在蚀刻所述第一氧化物层之前，沿着所述第一存储器栅极结构的侧壁和所述第二存储器栅极结构的侧壁形成第一间隔件，所述第一间隔件未形成在所述第一存储器栅极结构的顶面和所述第二存储器栅极结构的顶面上；去除所述第二存储器栅极结构；对所述电荷存储层施加第二蚀刻工艺以形成L型电荷存储层，其中，所述L型电荷存储层位于所述第一存储器栅极结构和所述控制栅极结构之间；在所述存储器栅极结构上方形成第二间隔件；以及形成邻近所述存储器栅极结构的第一漏极/源极区和邻近所述控制栅极结构的第二漏极/源极区。