[发明专利]HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法

摘要

本发明公开了一种HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法，主要解决现有技术不能对HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流分离的问题。其实现方案是：制作与被测HEMT器件结构相同，栅电极和源漏电极宽度均为被测HEMT器件α倍的测试辅助器件，α>0且α≠1；利用半导体参数测试设备分别测试被测HEMT器件和HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流；将被测HEMT器件的栅泄漏电流乘以α倍与HEMT测试辅助器件栅泄漏电流作差，将结果除以(α-1)项，得到被测HEMT器件的台面泄漏电流。本发明测试方法快速简便，结果准确可靠，能够为后续分析栅泄漏电流中台面泄漏电流产生机理和提高HEMT器件的可靠性提供依据。

主权项

一种测试HEMT器件中栅泄漏电流中台面泄漏电流的方法，包括如下步骤：A.制作测试辅助器件：制作结构与被测HEMT器件(1)结构相同，电极参数不同的HEMT测试辅助器件(2)；该测试辅助器件，其栅电极宽度为W_g’＝αW_g，源极和漏极宽度均为W_t’＝αW_t；其栅电极长度、栅漏电极之间距离、栅源电极之间距离及源漏电极的长度均与被测HEMT器件(1)的对应参数相同，其中α为电极宽度变化系数，α>0且α≠1，W_g为被测HEMT器件的栅极宽度，W_t为被测HEMT器件源极和漏极的电极宽度；B.利用半导体参数测试设备分别测试出如下两条曲线：将被测HEMT器件置于关闭状态，在漏极施加连续变化的偏置电压V，测出被测HEMT器件的栅泄漏电流I_g(V)与偏置电压V的关系曲线Q1；用与被测HEMT器件相同的测试条件，测出HEMT测试辅助器件的栅泄漏电流与偏置电压V的关系曲线Q2；C.根据步骤B中所测得的两条曲线Q1和Q2，获得被测HEMT器件的台面泄漏电流I_m(V)：(C1)用被测HEMT器件的栅泄漏电流与偏置电压关系曲线Q1中各个偏置电压V所对应的栅泄漏电流I_g(V)均乘以α，并将其结果与所述关系曲线Q2中对应偏置电压V下的栅泄漏电流逐一作差，即再用每个差值除以(α‑1)项，即得到被测HEMT器件(1)的台面泄漏电流I_m(V)与偏置电压V关系曲线Q3；(C2)根据被测HEMT器件(1)的台面泄漏电流与偏置电压关系曲线Q3，得到偏置电压范围内任意偏置电压下的被测HEMT器件的栅泄漏电流中台面泄漏电流I_m(V)。