[发明专利]具有掩埋栅极电极结构的半导体器件制造方法及半导体器件

摘要

公开了一种具有掩埋栅极电极结构的半导体器件制造方法及半导体器件。一种制造半导体器件的方法，包括：将至少第一沟槽图案和第二沟槽图案从第一表面引入到半导体衬底中。包括所述半导体衬底的部分的阵列隔离区域分离所述第一沟槽图案和第二沟槽图案。至少所述第一沟槽图案包括阵列沟槽以及在结构上与所述阵列沟槽连接的接触沟槽。在距所述第一表面一定距离处，在所述第一沟槽图案和第二沟槽图案的下区段中提供掩埋栅极电极结构。在所述第一表面与所述接触沟槽中的所述栅极电极结构之间提供连接插入物。可以可靠地分离同一半导体部分中所集成的半导体开关器件的栅极电极，并且可以通过成本有效的方式有效地连接内部栅极电极。

主权项

 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：至少将第一沟槽图案和第二沟槽图案从第一表面引入到半导体衬底中，其中，所述半导体衬底的阵列隔离区域分离所述第一沟槽图案和所述第二沟槽图案，并且至少所述第一沟槽图案包括阵列沟槽以及在结构上与所述阵列沟槽连接的接触沟槽；在距所述第一表面一定距离处在所述第一沟槽图案的下区段中提供栅极电极结构；以及在所述第一表面与所述接触沟槽中的所述栅极电极结构之间提供连接插入物。