[发明专利]一种具有电致变色特性的双层栅介质薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201410313635.7 | 申请日： | 2014-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN104051543A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 郭立强;丁建宁;凌智勇;程广贵;张忠强 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 212013 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体薄膜晶体管及电致变色电子器件技术领域，特指一种电致变色双层栅介质薄膜晶体管及其制作方法。根据电致变色原理，在给晶体管施加电压时，激发晶体管中氧化钨产生变色，使晶体管的光透过特性发生变化的现象设计电致变色器件。其中利用二氧化硅的质子导电特性作为离子存储层，为电致变色提供变色所需的质子；氧化钨和二氧化硅均作为薄膜晶体管的栅介质，实现具有电致变色特性双层栅介质薄膜晶体管的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 变色 特性 双层 介质 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有电致变色特性的双层栅介质薄膜晶体管，其特征在于：包括由下至上的透明基底材料层、透明导电层、二氧化硅质子导体栅绝缘层、氧化钨质子导体栅绝缘层、沟道层及源漏电极；透明导电层上依次设有作为质子存储层的二氧化硅质子导体栅绝缘层和发生电致变色的氧化钨质子导体栅绝缘层；氧化钨层上设有沟道层；沟道层上设有源漏电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大学，未经江苏大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410313635.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于HE4治疗恶性疾病
- 下一篇：一种落纱机的夹纱同步机构
- 同类专利
- 专利分类
