[发明专利]臭椿育苗的方法有效

专利信息
申请号: 201410313215.9 申请日: 2014-07-03
公开(公告)号: CN104067919A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 李永青;郭海荣;郭沛荣;李香莲;赵忠爱 申请(专利权)人: 李永青
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00
代理公司: 太原华弈知识产权代理事务所 14108 代理人: 李毅
地址: 030032 山西省太原市*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 发明提供了一种臭椿育苗的方法,包括精选种子、用等离子体处理机1.2-1.4A的剂量处理2次,将处理后的种子在阳光下晾晒4-5天,然后用草炭土:珍珠岩:粘土按8:2:1的体积比混合均匀后作为育苗基质,将处理后的种子以行距140-180mm、株距2-3mm的密度、深度15-16mm播种,播种后的基质保持24-28℃、相对湿度75%-80%,播种后10-11天出苗,将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持20-30℃、相对湿度50%-60%的条件下培养,当苗高达到20-25cm时,按行距与株距均为30cm移植至大棚土壤中培养,当苗高达到35cm以上时,完成育苗过程,逢初春或夏末秋初即可定植栽培。采用本发明方法可显著提高臭椿的出苗率、极大地降低苗期瘁倒病的发生,明显提高育苗的经济效益。
搜索关键词: 臭椿 育苗 方法
【主权项】:
臭椿育苗的方法,其特征是包括如下步骤:   (1) 精选成熟良好、无杂质的种子;(2)将种子用等离子体处理机1.2‑1.4A的剂量处理2次; (3)将(2)处理后的种子在阳光下晾晒4-5天;(4)用草炭土:珍珠岩:粘土按8:2:1的体积比混合均匀后作为育苗基质,将(3)处理后的种子以行距140-180mm、株距2-3 mm的密度、深度15-16 mm进行播种,播种后的基质保持24‑28℃、相对湿度75%-80%,播种后10-11天出苗;(5) 将出苗后的小苗移至光照充足、基质保持20‑30℃、相对湿度50%-60%的条件下培养,当苗高达到20-25cm时,按行距与距均为30cm移植至大棚土壤中培养,当苗高达到35cm以上时,完成育苗过程,逢初春或夏末秋初即可定植栽培。
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