[发明专利]一种用两步法制备掺碳TiO2薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种用两步法制备掺碳TiO2薄膜的方法，该方法步骤如下：（1）采用磁控溅射法制备TiO2薄膜：将处理好的玻璃、硅片和钛片衬底放好，用TiO2陶瓷靶为溅射靶材，本底真空保持在2×10-3Pa量级，充入99.999%的氩气和补偿氧气，溅射功率300W，溅射时间30分钟，在500℃空气中保温2小时，自然退温；（2）利用离子注入法将C注入到TiO2薄膜中：将样品放入离子注入室中，充入CH4气体，压强为1Pa，射频功率40W，电压分别为8、10、12、14和16kV，频率为50Hz。每个样品的注入时间为30分钟。采用本发明的方法来制备C-TiO2薄膜具有很好的光降解效果。

主权项

一种用两步法制备掺碳TiO2薄膜的方法，其特征是该方法分为两个步骤：第一步采用磁控溅射法制备TiO2薄膜：将处理好的玻璃、硅片和钛片衬底放置好，用TiO2陶瓷靶为溅射靶材，本底真空保持在2×10‑3 Pa量级，溅射时充入纯度为99.999%的氩气和一定的补偿氧气，溅射功率为300 W，溅射时间为30分钟；溅射完后，衬底上覆盖了一层膜厚大约为100 nm厚的TiO2薄膜；随后在500 ℃空气中保温2小时，自然退温处理；第二步利用离子注入法(PIII)将C离子注入到TiO2薄膜中：退火后的样品被放入离子注入室中，充入CH4气体，工作压强为1 Pa，射频功率为40 W，电压分别为8、10、12、14 和 16 kV，频率为50 Hz；每个样品的注入时间都为30分钟。