[发明专利]半导体器件的导线焊点强化方法有效
| 申请号: | 201410308073.7 | 申请日: | 2014-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN104064485B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
| 发明(设计)人: | 石海忠;郇林香;缪小勇;吴晶;虞国良 | 申请(专利权)人: | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
| 地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种半导体器件的导线焊点强化方法,包括:在框架内引线的焊接区开设至少两个通孔;在所述焊接区焊接导线,所述导线的焊接位置位于两个相邻的所述通孔之间;在所述通孔内设置锁定卡来将所述导线与所述框架内引线紧紧卡箍在一起。本发明提供的上述方案,通过锁定卡将焊接于框架内引线上的导线,牢靠的卡箍在框架内引线上,有效的避免了导线与框架内引线剥离的情况发生,加强了导线与框架内引线的电连接,提高了半导体器件,特别是半导体功率器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体器件 导线 强化 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件的导线焊点强化方法,其特征在于,包括:在框架内引线的焊接区开设至少两个通孔;在所述焊接区焊接导线,所述导线的焊接位置位于两个相邻的所述通孔之间;在所述通孔内设置锁定卡来将所述导线与所述框架内引线紧紧卡箍在一起,所述锁定卡包括按压部,所述按压部向外悬伸有锁定部,所述按压部压在所述导线上,所述锁定部穿越所述通孔,且卡在所述框架内引线背离所述导线的一侧;所述框架内引线的边缘处设置有凹槽,所述锁定部通过所述凹槽穿过所述框架内引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通富士通微电子股份有限公司,未经南通富士通微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410308073.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





