[发明专利]一种NiCuZn铁氧体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410305711.X 申请日: 2014-06-30
公开(公告)号: CN104030674A 公开(公告)日: 2014-09-10
发明(设计)人: 梁迪飞;李东月;王昕;赵青;谢建良;邓龙江 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/622
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 张杨
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及针对于无线充电中铁氧体材料作为屏蔽材料应用背景的NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。该铁氧体主成份和掺杂成份均以氧化物计。主成份以摩尔百分比为:Fe2O3:48.5mol%~49.5mol%;ZnO:25mol%~29mol%;NiO:11.5mol%~20.5mol%;CuO:5mol%~9.5mol%;掺杂成份质量百分比为:0≤V2O5≤0.12wt%。本发明采用传统的氧化物烧结制备工艺,步骤为:(1)原料混合,(2)预烧,(3)掺杂,(4)二次球磨,(5)造粒成型,(6)烧结。制备出的NiCuZn铁氧体材料在100KHz~200KHz频率区间,起始磁导率μi为950~1000,100KHZ、100mT、25℃下功率损耗Pcv为460~500mW/cc,饱和磁感应强度Bs≥360mT,矫顽力Hc<32A/m。实现了无线充电中铁氧体材料作为屏蔽材料要求的:较低的功率损耗Pcv和Hc,更高的μi和较高的Bs。
搜索关键词: 一种 nicuzn 铁氧体 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种NiCuZn铁氧体材料,其特征在于:在100KHz~200KHz频率区间,起始磁导率μi为950~1000,100KHZ、100mT、25℃下功率损耗Pcv为460~500mW/cc,饱和磁感应强度Bs≥360mT,矫顽力Hc<32A/m;其原材料主成份和掺杂成份皆按氧化物计,其中主成份摩尔百分比为:掺杂成份质量百分比为:0≤V2O5≤0.12wt%。
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