[发明专利]具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制作方法在审
| 申请号： | 201410301179.4 | 申请日： | 2014-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105280551A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工大华生电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150028 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制造方法，其结构包括：雪崩光电二极管（APD）阵列、温敏二极管和淬灭电阻。所述雪崩光电二极管阵列由微元APD，淬灭电阻与微元APD串联形成单元，所有这些单元并联在一起形成线阵，线阵器件与温敏二极管表面贴装连接。这种结构的APD阵列具有温度补偿性好，均匀性高，响应速度快，低噪声等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 温度 补偿 保护 apd 阵列 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一种硅片作为衬底片；在所述衬底片上制造出微元APD构成阵列；在APD阵列外围采用表面贴装技术SMD对APD阵列、温敏二极管和淬灭电阻进行电器连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
