[发明专利]互连结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种互连结构的形成方法。包括：在形成介质层后，在介质层上形成碳氧化硅(SiOC)层，在碳氧化硅层上形成金属掩模材料层；之后再刻蚀金属掩模材料层和碳氧化硅层形成硬掩模，并以硬掩模为掩模刻蚀介质层，在介质层形成通孔；向通孔内填充导电材料后，形成导电插塞。以碳氧化硅层和金属掩模材料层双层结构取代现有的含有金属层、TEOS层和采用低K材料制成的结合层的结构。后续在介质层内形成通孔后，清洗通孔以去除刻蚀介质层时所形成的刻蚀副产物时，碳氧化硅层、金属掩模材料层和介质层消耗速率相似，有效改善形成于硬掩模以及介质层内的通孔侧壁平整度，进而提高后续向通孔内填充的导电材料的填充性能，以提高形成的导电插塞的性能。

主权项

1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成介质层；在所述介质层上形成碳氧化硅层；在所述碳氧化硅层上形成金属掩模材料层；刻蚀所述金属掩模材料层和碳氧化硅层以形成硬掩模；以所述硬掩模为掩模刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成通孔；在所述通孔内填充导电材料，以形成导电插塞；形成碳氧化硅层的方法为化学气相沉积法，所述化学气相沉积法以一氧化碳、硅烷气体、一氧化二氮和水蒸气作为反应气体，所述硅烷和一氧化碳的流量比为1:1～1:3，所述硅烷与一氧化二氮的流量比为1:0.1～1:3，所述硅烷与水蒸气的流量比为1:0.1～1:3。