[发明专利]沟槽隔离式外延GaN的PIN型β辐照电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽隔离式外延GaN的PIN型β辐照电池及制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结β辐照电池输出电压有限的问题。其包括：PIN结、沟槽、β放射源层、金属键合部，其中PIN结自上而下依次为P型外延层欧姆接触电极、P型外延层、N型外延层、N型SiC衬底和N型欧姆接触电极；沟槽位于PIN结上部分的左右两侧；β放射源层位于P型外延层欧姆接触电极的上方；金属键合部位于β放射源层的左右两侧，每个键合部的下面与P型外延层欧姆接触电极完全接触。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。

主权项

一种沟槽隔离式外延GaN的PIN型β辐照电池，包括：PIN结、沟槽(9)、β放射源层(8)、金属键合部(5)，PIN结自上而下依次包括：P型外延层欧姆接触电极(6)、P型外延层(2)、N型外延层(3)、N型SiC衬底(4)和N型欧姆接触电极(7)，其特征在于：所述P型外延层(2)，采用直接带隙的GaN材料，以提高电池的输出电压；所述β放射源层(8)，位于P型外延层欧姆接触电极(6)的上方；所述沟槽(9)，位于PIN结上部分的左右两侧，每个沟槽的侧壁和底部淀积有Si₃N₄钝化层(1)；金属键合部(5)，位于β放射源层(8)的左右两侧，每个键合部的下面与P型外延层欧姆接触电极(6)完全接触。