[发明专利]在扇出型WLCSP上堆叠半导体小片的方法及半导体装置

摘要

半导体装置具有第一半导体小片。第一互连结构，诸如导电柱，其包括形成在导电柱之上的凸点，以及第二互连结构形成在所述第一半导体小片的外围区域。第二半导体小片布置在第一互连结构和第二互连结构之间的第一半导体小片之上。第二半导体小片的高度低于第一互连结构的高度。第二半导体小片的占用空间小于第一半导体小片的中央区域。密封体沉积在第一半导体小片和第二半导体小片之上。备选地，第二半导体小片布置在包括多个互连结构的半导体封装之上。实现来自单侧FO‑WLCSP的外部连通性而没有使用导电通孔以提供高的产量及装置可靠性。

主权项

1.一种制作半导体装置的方法，包括：提供第一半导体小片；在所述第一半导体的有源表面上形成导电层，以及所述导电层从所述第一半导体小片的中央区域延伸到所述第一半导体小片的外围区域；在所述第一半导体小片的所述外围区域中的所述导电层上形成多个第一互连结构；提供第二半导体小片，所述第二半导体小片包括形成在所述第二半导体小片的有源表面上的多个凸点；提供包括接口层的载体；将所述第二半导体小片布置在所述载体上，其中所述凸点的一部分嵌入在所述接口层内；在将所述第二半导体小片布置在所述载体上之后，将所述第一半导体小片布置在所述载体和第二半导体小片之上，其中所述第一互连结构布置在所述第二半导体小片周围，以及所述第一互连结构的一部分嵌入在所述接口层内，以及所述凸点定向成离开所述第一半导体小片，形成在所述第一半导体小片与第二半导体小片之间的间隙；将密封体沉积在所述第一半导体小片上、以及在所述第一互连结构与第二半导体小片之间、以及在与所述有源表面相对的所述第二半导体小片的第二表面的整体上的所述间隙中；移除所述载体和接口层来暴露所述凸点的所述一部分和所述第一互连结构的所述一部分；以及在所述第一半导体小片、第二半导体小片以及密封体上形成第二互连结构以便接触所述凸点的所述一部分与所述第一互连结构的所述一部分。