[发明专利]一种聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线、制备方法及其应用有效
申请号: | 201410299007.8 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN104034775A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 张小俊;汪玲玲 | 申请(专利权)人: | 安徽师范大学 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N21/76 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 张巧婵 |
地址: | 241000 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供了一种聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线、制备方法及其应用,本发明利用两步刻蚀法首次合成出银@氯化银核壳结构纳米线。耦合银@氯化银纳米线与聚吡咯,制备得到聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线,在光电化学传感器的发展中有着潜在的应用潜能。跟现有技术相比,本发明银纳米线核可以快速的转移电子并有效的阻碍电子与空穴的重组。聚吡咯拓宽了电极对可见光的吸收范围,提高光电流转化效率。通过对焦棓酸的检测,聚吡咯/银@氯化银光电化学传感器表现出响应快速、灵敏度高、选择性好等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 吡咯 氯化银 结构 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线,其特征在于,所述聚吡咯/银@氯化银核壳结构纳米线有三层结构,第一层为光滑、均一的银纳米线,直径为20‑30纳米;第二层为紧密包裹在银纳米线表面的氯化银小颗粒;第三层为在银@氯化银核壳结构纳米线表面电沉积的聚吡咯。
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