[发明专利]一种制备三维有序大孔BiVO4负载的Fe2O3和贵金属光催化剂及制备方法有效
| 申请号: | 201410295726.2 | 申请日: | 2014-06-26 |
| 公开(公告)号: | CN104084215A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
| 发明(设计)人: | 戴洪兴;吉科猛;邓积光 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
| 主分类号: | B01J23/89 | 分类号: | B01J23/89;C02F1/30;C02F101/34 |
| 代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 张慧 |
| 地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 一种制备三维有序大孔BiVO4负载的Fe2O3和贵金属光催化剂及制备方法,属于可见光响应催化剂技术领域。本发明以3DOM BiVO4为载体,采用以异丙醇为溶剂的等体积浸渍法和以聚乙烯醇为保护剂的低温鼓泡还原法制备3DOMBiVO4负载p型半导体Fe2O3和M贵金属(M=Au,Pd)的新型高效可见光响应催化剂M/Fe2O3/3DOM BiVO4。此催化剂同时具有3DOM结构、异质结、梯度结构表面以及等离子体共振效应,Fe2O3均匀分散在3DOM BiVO4载体表面,负载的贵金属以纳米团簇形式附着于3DOM结构表面。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 制备 三维 有序 bivo sub 负载 fe 贵金属 光催化剂 方法 | ||
【主权项】:
三维有序大孔BiVO4负载Fe2O3和贵金属光催化剂M/Fe2O3/3DOM BiVO4,其特征在于,该催化剂具有3DOM结构,平均孔径为100~200nm,二级窗口大小为40~70nm,孔壁壁厚为15~30nm,p型半导体Fe2O3均匀分散于3DOM结构BiVO4载体孔表面,负载的贵金属以纳米簇形式附着于3DOM结构BiVO4载体孔表面,各光催化剂的比表面积为15~30m2/g,具有二级带隙能,分别为2.47~2.51eV和1.82~1.89eV,贵金属为Au或Pd。
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