[发明专利]氮杂聚硅烷前体和沉积包含该前体的薄膜的方法

摘要

本文描述了用于形成含硅薄膜的前体和方法。一方面，提供包含至少两个Si‑N键、至少一个Si‑Si键和至少两个SiH2基团的氮杂聚硅烷前体，由下式IA、IB和IC表示其中R1和R2独立地选自直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C3‑C10环烷基、C3‑C10杂环烷基、C5‑C10芳基、C3‑C10杂芳基、C2‑C10二烷基氨基和C3‑C10环烷基氨基；R3和R4独立地选自氢、直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C2‑C10烯基、直链或支链C2‑C10炔基、C3‑C10环烷基、C3‑C10杂环烷基、C5‑C10芳基、C3‑C10杂芳基、C2‑C10二烷基氨基、和C3‑C10环烷基氨基；其中式IA中的R1不能为甲基，式IB中的R1和R2不能同时为异丙基、叔丁基和苄基且R3和R4不能同时为甲基和苯基。

主权项

包含至少两个Si‑N键、至少一个Si‑Si键和至少两个SiH2基团的氮杂聚硅烷前体，其由下式IA表示：其中R1选自直链或支链C1‑C10烷基、直链或支链C3‑C10烯基、直链或支链C3‑C10炔基、C3‑C10环烷基、C3‑C10杂环烷基、C5‑C10芳基、C3‑C10杂芳基、C2‑C10二烷基氨基和C3‑C10环烷基氨基；其中式IA中的R1不能为甲基。