[发明专利]一种SIP铅锡封装方法及其封装结构

摘要

本发明公开了一种SIP铅锡封装方法及其封装结构，该SIP铅锡封装方法包括以下步骤，在腔体和盖板上镀银，清洗腔体和电路片；用导电胶将电路片粘贴在腔体内部底面；将绝缘子焊封在腔体上的安装孔内；用导电胶将芯片，元器件粘贴在电路片上预留位置处；绝缘子内导体与电路片通过锡铅焊连接；用酒精溶液超声清洗盖板，并在盖板边缘缠绕一圈Sn63Pb37焊锡丝后，将腔体和盖板扣合在一起，通过加热台加热使焊锡丝熔化，使腔体与盖板形成良好的气密焊接；最后在腔体的两端绝缘子处用螺钉装配固定上SMA接头。采用SIP铅锡封装方法生产的SIP封装结构解决了SIP封装结构气密性差的问题。

主权项

一种SIP铅锡封装方法，其特征在于，所述方法包括以下工艺步骤：步骤1，在腔体和盖板的外表面均匀地镀上厚度为4um‑8um的银层；步骤2，将腔体、电路片放在异丙醇溶液中，用超声波清洗10‑20分钟；步骤3，在腔体内部的底面上均匀的涂覆一层厚度为0.05mm‑0.12mm的导电胶；在导电胶上安放电路片，用压块压住，并用夹具固定；将腔体放入烘箱中，在120℃高温下烘烤50‑60分钟取出；步骤4，在绝缘子外表面均匀涂覆一层厚度为0.2‑0.8mm的Sn63Pb37焊料，将绝缘子插入腔体上的安装孔内固定，并将固定在一起的绝缘子和腔体置于温度设置在205‑220℃高温的热台上烘烤45‑90s，取出自然冷却；步骤5，在电路片上的芯片预留位处均匀地涂覆一层厚度为0.05mm‑0.12mm的导电胶，安放上芯片，并将整个腔体放入烘箱中，在120℃高温下烘烤50‑60分钟取出；步骤6，绝缘子内导体与电路片通过Sn63Pb37焊连接；步骤7，芯片与电路片之间及芯片与绝缘子内导体之间通过键合25um或18um金丝将两者连接在一起；步骤8，将盖板置于酒精溶液中，用超声波清洗10‑20分钟，取出放入烘箱，在80℃‑100℃温度下烘烤20‑30分钟，再用酒精棉清洗腔体的封盖边缘；沿着盖板边缘缠绕一圈直径为0.2‑0.5mm的Sn63Pb37焊锡丝，将盖板与腔体紧密贴合后置于温度为205‑220℃的热台上，对盖板施加一定的压力，待焊锡丝熔化15‑30s后，取出封装在一起的腔体和盖板置于室温冷却；步骤9，在腔体的两端的绝缘子处用螺钉装配固定上SMA接头。