[发明专利]利用有机金属化合物生长层数可控石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201410292560.9 | 申请日： | 2014-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN104030282A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | 廖威;金玲;蒋健伟 | 申请（专利权）人： | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 无锡华源专利事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 林弘毅;聂汉钦 |
| 地址： | 214171 江苏省无锡市惠山*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用有机金属化合物生长层数可控石墨烯的方法。本发明在使用CVD方法在铜衬底上生长石墨烯的过程中，引入了易挥发的有机金属化合物的蒸汽作为浮动催化剂，持续提供新鲜的活性催化剂，突破铜衬底的自限制效应，并且通过优化温度、压力、时间和载气与碳源气体的种类与流量等工艺参数，实现了在铜衬底上可控制备两层及以上且层数均一的石墨烯的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 有机 金属 化合物 生长 层数 可控 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种利用有机金属化合物生长层数可控石墨烯的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)衬底预处理，将铜衬底依次放入丙酮，乙醇和去离子水中进行清洗，每次清洗时间为5～30min，从去离子水中取出衬底，用纯度为99.999％的氮气吹干；(2)将处理之后的铜衬底置于CVD管式炉腔体内，通入保护气体，升温至退火温度，保温退火，使得铜的晶粒长大；(3)升温至生长温度，通入载气和挥发性有机金属化合物蒸汽，生长石墨烯；(4)石墨烯生长结束后，急速冷却铜衬底，将残余气体抽出CVD管式炉；(5)铜衬底温度降至室温后，取出制备好的石墨烯。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡格菲电子薄膜科技有限公司，未经无锡格菲电子薄膜科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410292560.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种从高铝粉煤灰中提取硅胶的方法
- 下一篇：氮掺杂碳纳米管及其制备方法
