[发明专利]具有穿通电极的半导体封装及其制造方法

摘要

本发明提供具有穿通电极的半导体封装及其制造方法。该方法可以包括形成包括堆叠在第二半导体芯片上的第一半导体芯片的晶片级封装；形成包括堆叠在第三半导体芯片上的第四半导体芯片的芯片级封装；在晶片级封装的第二半导体基板的后表面上堆叠多个芯片级封装，抛光晶片级封装的第一模层和第一半导体芯片以暴露第一半导体芯片的第一穿通电极，和在被抛光的第一半导体芯片上形成外部电极以分别连接到第一穿通电极。

主权项

一种形成半导体封装的方法，该方法包括：提供第一芯片和第二芯片，所述提供第一芯片和第二芯片包括：在所述第一芯片的第一基板的前表面上提供第一有源层；以及在所述第二芯片的第二基板的前表面上提供第二有源层；堆叠所述第一芯片和所述第二芯片使得所述第一芯片的第一有源层面对所述第二芯片的第二有源层；在所述第一芯片上和所述第二芯片的第二基板的前表面上形成模层以向所述半导体封装提供刚性，所述模层包括聚合物材料；在形成所述模层之后，以所述模层为载体，减薄所述第二基板的后表面；和在所述第二基板的减薄的后表面上形成后侧电极，所述后侧电极电连接到所述第二基板的第二穿通电极，在所述减薄所述半导体封装的所述第二基板的所述后表面之后，减薄所述半导体封装中的所述第一基板的所述第一芯片的后表面。