[发明专利]一种氮化硅陶瓷的制备方法无效
申请号: | 201410287986.5 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN104072151A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 付伟峰;窦涛 | 申请(专利权)人: | 中材高新成都能源技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 赵丽 |
地址: | 611400 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于工程陶瓷材料领域,涉及一种陶瓷的制备,具体涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a.将氮化硅粉、碳化硅粉、烧结助剂、表面活性剂、水和有机溶剂混合之后干燥;b.将步骤a得到的混合物加入碾磨机,进行粉碎操作,最后得到粉状混合物;c.向由步骤b中得到的粉状混合物中加入有机粘结剂和水,搅拌、混合;d.将由步骤C得到的混合物进行过滤,筛选;e.将步骤d得到的混合物料在135~150℃、15~18Mpa、ph值在7~9之间的时候,下注射成型,得到坯体。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:a.将氮化硅粉、碳化硅粉、烧结助剂、表面活性剂、水和有机溶剂混合之后干燥;b.将步骤a得到的混合物加入碾磨机,进行粉碎操作,最后得到粉状混合物;c.向由步骤b中得到的粉状混合物中加入有机粘结剂和水,搅拌、混合;d.将由步骤C得到的混合物进行过滤,筛选;e.将步骤d得到的混合物料在135~150℃、15~18Mpa、ph值在7~9之间的时候,下注射成型,得到坯体。
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