[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410286488.9 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104821300A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 田村幸治 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供厚度精度高的半导体装置及其制造方法。实施方式中，第1框架具有第1薄板部和第1厚板部。第2框架具有第2薄板部和第2厚板部。半导体芯片具有接合于第1框架的第1薄板部的第1内表面的第1电极、以及接合于第2框架的第2厚板部的第2内表面的第2电极。树脂将半导体芯片进行密封，并且使第1框架的第1外表面以及第2框架的第2外表面露出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1框架，具有第1薄板部和第1厚板部，所述第1薄板部具有第1外表面和所述第1外表面的相反侧的第1内表面，所述第1厚板部比所述第1薄板部厚；第2框架，具有第2薄板部和第2厚板部，所述第2厚板部具有第2外表面和所述第2外表面的相反侧的第2内表面，并且所述第2厚板部比所述第2薄板部厚；半导体芯片，设置在所述第1框架的所述第1薄板部与所述第2框架的所述第2厚板部之间，具有半导体层、第1电极以及第2电极，所述半导体层具有第1面和所述第1面的相反侧的第2面，所述第1电极设置于所述第1面，并接合于所述第1框架的所述第1薄板部的所述第1内表面，所述第2电极设置于所述第2面，并接合于所述第2框架的所述第2厚板部的所述第2内表面；以及树脂，将所述半导体芯片密封，并且使所述第1框架的所述第1外表面以及所述第2框架的所述第2外表面露出。
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