[发明专利]基于纳米TiO2 薄膜的微型氧气传感器及制备工艺有效
申请号: | 201410285768.8 | 申请日: | 2014-06-23 |
公开(公告)号: | CN104089981A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 王海容;王嘉欣;陈磊;孙全涛;孙侨;吴志红 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 朱海临 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于纳米TiO2薄膜的微型氧气传感器及制备工艺,该传感器自下而上分别为硅基底、二氧化硅和氮化硅绝缘层、敏感层与加热丝、叉指电极层。制备工艺包括:在Si3N4绝缘层上制备两层TiO2薄膜夹一层Pd的“三明治”敏感层;其特征在于,改进了传感器的结构,通过同一工序同时在敏感层上制备叉指电极和在Si3N4绝缘层上制备加热丝,并采用双螺旋加热丝的结构将叉指电极包裹在里边,可使氢氟酸湿法刻蚀敏感层得以实现,并且避免了两次溅射Ti/Pt材料和增加氮化硅层时的应力产生。本发明工艺流程简化、容易操作、生产量大,具有很好的工业生产特性。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 tio sub 薄膜 微型 氧气 传感器 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种基于纳米TiO2薄膜的微型氧气传感器,包括硅基底,其上面设置有二氧化硅和氮化硅绝缘层,硅基底下面设置二氧化硅和氮化硅掩蔽层,并开有至二氧化硅绝缘层的绝热槽,所述氮化硅绝缘层上面设置有敏感层,其结构为两层纳米TiO2薄膜夹一层Pd掺杂层,其特征在于,所述敏感层上面设置叉指电极;在氮化硅绝缘层上面设置双螺旋加热丝的结构将叉指电极包裹在中心部位;所述叉指电极和加热丝选择同一材料采用一次溅射工序粘敷在不同平面上。
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